碳化硅材料

随着电动汽车和新能源需求的持续攀升，碳化硅的市场需求十分强劲。当前国内碳化硅产业正从产业化阶段向商业化阶段高速迈进。

当前硅基器件的性能已近乎触及材料的物理极限，与此同时对半导体材料也提出了更高的要求。

在此背景下，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料崭露头角。

第三代半导体材料的禁带更宽，具有高击穿电场、高电子饱和速率及出色的抗辐射能力。

碳化硅器件的制造流程包括多个关键环节:衬底生产需要将碳化硅粉未经过一系列工艺如熔融、拉晶、切片和打磨，最终制成衬底;在外延炉中，衬底上会外延生长一层碳化硅，从而得到外延片;再经过包括光刻、蚀刻在内的多道工序，外延片被加工成芯片，并最终封装为器件产品。

碳化硅器可以根据下游产业的需求，进一步由模块厂家进行封装，制作成模块

此外，在制作导电型碳化硅功率器件时，需要在导电型衬底上培育碳化硅外延层，加工成MOSFET、IGBT等类型的器件。

碳化硅性能出色，在新能源汽车、充电桩、光伏和风电等电力电子领域广泛应用。

在新能源汽车领域，碳化硅功率器件主要应用于电机控制器、、车载充电机(OBC)和DC-DC车载电源转换器。在800V高压平台上，碳化硅MOSFET的优势更为明显。

碳化硅也是光伏发电的核心器件，在光伏逆变器这一关键组件中发挥着重要作用;在智能电网建设中，碳化硅基能在高压、高温、高频等恶劣环境下稳定工作，是硅基器件的理想替代品.